Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 藤井 就亮; 元田 隆 | |
| 1997-06-30 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1997-06-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 メサ型構造を作製するエッチング工程に於ける再現性および効率の向上を達成する半導体レーザ装置とその製造方法とを提供すること。 【解決手段】 ダブルへテロ接合構造の上に形成した第1エッチング停止層から離間し、且つ活性層から1μm以上離間した第2エッチング停止層を備える。 【効果】 エッチング工程を2段階に停止させるので、工程中に各層の膜厚分布の均一性が悪化せず、再現性良くメサ型構造を作製することができる。また、2つのエッチング停止層を互いに離間させているので、2つの層を極端に薄膜化する必要がなく、さらに第2エッチング停止層を活性層から十分離して形成しているので2つのエッチング停止層に於ける光吸収を最小限とすることができる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种能够在用于制造台面结构的蚀刻工艺中实现再现性和效率的改进的半导体激光器件及其制造方法。 提供与形成在双异质结结构上并与有源层分开1μm或更多的第一蚀刻停止层间隔开的第二蚀刻停止层。 [效果]由于蚀刻步骤分两个阶段停止，因此在处理期间每层的膜厚度分布的均匀性不会劣化，并且可以以良好的再现性形成台面结构。另外，由于两个蚀刻停止层彼此分离，因此不必使两层极薄，并且由于第二蚀刻停止层形成为与有源层充分分离，因此两次蚀刻停止可以使层中的光吸收最小化。 |
| 申请日期 | 1995-12-18 |
| 专利号 | JP1997172220A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995329095 |
| 公开（公告）号 | JP1997172220A |
| IPC 分类号 | H01L21/308 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 曾我 道照 (外6名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81065 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 就亮,元田 隆. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1997172220A[P]. 1997-06-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1997172220A.PDF（73KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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