Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ,及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ,及びその製造方法 |
| 元田 隆; 加藤 学 | |
| 1996-04-02 | |
| 专利权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 公开日期 | 1996-04-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 電子の反射効率に優れたMQB構造層を備えた高性能な半導体レーザ,及びその製造方法を提供する。 【構成】 活性層13とp-クラッド層15の間に設けられたInPバリア層2bとInGaAsウエル層1からなる多重量子障壁(MQB)層14の、InPバリア層2bとInGaAsウエル層1の界面のうちの活性層13側の界面に、GaAsバリア層2aを設けた。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种高性能半导体激光器，其包括具有优异电子反射效率的MQB结构层及其制造方法。组成：在有源层13和p覆层15之间形成由InP阻挡层2b和InGaAs阱层1组成的多量子势垒（MQB）层14.在层14中，GaAs阻挡层2a是在层2b和层1之间的边界中的层13侧的边界上制备。 |
| 申请日期 | 1994-09-19 |
| 专利号 | JP1996088434A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994223327 |
| 公开（公告）号 | JP1996088434A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01L29/78 | H01L21/336 | H01S5/34 | H01S5/20 | H01L29/786 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 早瀬 憲一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84324 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田 隆,加藤 学. 半導体レーザ,及びその製造方法. JP1996088434A[P]. 1996-04-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996088434A.PDF（64KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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