Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザの製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 元田 隆; 加藤 学 | |
| 2004-11-26 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 2005-02-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 リッジの加工精度を容易に向上させるとともに、電流の横方向の広がりを抑制して低しきい値化,および高出力化を図ることができる半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザを提供する。 【構成】 半導体基板1の(100)面上に、〔011〕方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスク2を形成し、これをマスクとしてバッファ層3,n型クラッド層4,活性層5,p型クラッド層6,バンド不連続緩和層7,キャップ層8を順次選択成長させて、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状で、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形であるリッジ50を形成する。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种制造半导体激光器的方法，该方法可以很容易地改善脊的加工精度，同时抑制电流的横向扩散以降低阈值，并可以设计激光器输出的增加和半导体激光器。组成：选择性掩模2，在半导体衬底1的方向[011] 11延伸，并具有条纹孔径部分，形成在半导体衬底1的面（100）和缓冲层3，N使用该掩模2作为掩模，依次选择性地生长型覆盖层4，有源层5，P型覆盖层6，带不连续弛豫层7和覆盖层8，以形成脊50，其具有在条纹宽度方向上形成准台面形状的部分和在条纹长度方向上形成为左右对称形状的部分形成六边形。 |
| 申请日期 | 1995-06-14 |
| 专利号 | JP3621155B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995147602 |
| 公开（公告）号 | JP3621155B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 早瀬 憲一 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84745 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田 隆,加藤 学. 半導体レーザの製造方法. JP3621155B2[P]. 2004-11-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3621155B2.PDF（225KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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