Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管 | |
| 其他题名 | 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管 |
| 小野健一; 元田隆 | |
| 1997-07-02 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 1997-07-02 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种半导体器件，包含：具有表面的半导体衬底(1)；由交互叠合在一起的多个第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)构成的应变超晶格结构，第一半导体层(4a)在相对于半导体衬底(1)为压缩或伸张的方向上有第一应变，第二半导体层(4b)有和第一应变方向相同但大小不同的第二应变。因此使第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)之间的应变差减小，由此应变超晶格结构的结晶质量得到改进。 |
| 其他摘要 | 一种半导体器件，包含：具有表面的半导体衬底(1)；由交互叠合在一起的多个第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)构成的应变超晶格结构，第一半导体层(4a)在相对于半导体衬底(1)为压缩或伸张的方向上有第一应变，第二半导体层(4b)有和第一应变方向相同但大小不同的第二应变。因此使第一半导体层(4a)和第二半导体层(4b)之间的应变差减小，由此应变超晶格结构的结晶质量得到改进。 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包含： 具有表面的半导体衬底(1)；以及 由多个第一半导体层(4a)和多个第二半导体层(4b)交替叠合在一起构成的应变超晶格结构(4)，这些第一半导体层(4a)在相对于半导体衬底(1)为压缩或伸张方向上有第一应变，这些第二半导体层(4b)有和第一应变方向相同但大小不同的第二应变。 |
| 申请日期 | 1996-08-14 |
| 专利号 | CN1153411A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN96111670.6 |
| 公开（公告）号 | CN1153411A |
| IPC 分类号 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 王以平 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66918 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野健一,元田隆. 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管. CN1153411A[P]. 1997-07-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1153411A.PDF（1320KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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