Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 多重量子障壁、半導体レーザチップとその製造方法 | |
| 其他题名 | 多重量子障壁、半導体レーザチップとその製造方法 |
| 元田 隆; 加藤 学 | |
| 1996-05-17 | |
| 专利权人 | 三菱電機株式会社 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 レーザダイオードの活性層とp型クラッド層との間に設けられる多重量子障壁の抵抗を低減する。 【構成】 多重量子障壁を構成しているバリア層とウェル層のうちバリア層に引っ張り歪みを入れることによって、バリア層のバンド構造15cの価電子帯端とウェル層のバンド構造15bの価電子帯端との差ΔEvが減少する。また、バリア層の引っ張り歪みによって、ホールの有効質量が減少し、ホールの移動度が増加する。 【効果】 ΔEvが小さくなることによって、ホールの移動が容易になる。また、ホールの移動度が増加することによってバリア層の抵抗を低減することができる。 |
| 其他摘要 | 目的：降低多量子势垒的电阻，该量子势垒位于激光二极管的有源层和P型包层之间。组成：在阻挡层和阱层之外的阻挡层中切割拉伸应变，其构成多量子势垒，由此阻挡层的带结构15c的价带端与价之间的差值ΔVE阱层的能带结构15b的带端减小。此外，通过在阻挡层中切割的拉伸应变，孔的有效质量减小并且空穴迁移率增加。因此，通过差异和Delta Ev的减小，孔的迁移变得容易。此外，通过增加空穴迁移率，可以降低阻挡层的电阻。 |
| 申请日期 | 1994-10-26 |
| 专利号 | JP1996125261A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994262256 |
| 公开（公告）号 | JP1996125261A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 吉田 茂明 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84888 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田 隆,加藤 学. 多重量子障壁、半導体レーザチップとその製造方法. JP1996125261A[P]. 1996-05-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996125261A.PDF（46KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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