Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光装置 | |
| 其他题名 | 半导体激光装置 |
| 元田隆; 小野健一 | |
| 1997-09-10 | |
| 专利权人 | 三菱电机株式会社 |
| 公开日期 | 1997-09-10 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明旨在防止在势阱层与势垒层的界面上发生位错等晶格缺陷。本发明中，势阱层通过由Ga0.56In0.44P构成的主要区域和在从该区域到势阱层与势垒层的界面之间为了使其变形从-0.5％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的GaInP构成的过渡区域构成，另外，势垒层通过由(Al0.5Ga0.5)0.452In0.548P构成的主要区域和在从该区域到势垒层与势阱层界面之间为了使其变形从+0.4％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的AlGaInP构成的过渡区域构成。 |
| 其他摘要 | 本发明旨在防止在势阱层与势垒层的界面上发生位错等晶格缺陷。本发明中，势阱层通过由Ga0.56In0.44P构成的主要区域和在从该区域到势阱层与势垒层的界面之间为了使其变形从-0.5％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的GaInP构成的过渡区域构成，另外，势垒层通过由(Al0.5Ga0.5)0.452In0.548P构成的主要区域和在从该区域到势垒层与势阱层界面之间为了使其变形从+0.4％逐渐地变化为-0.1％而由组成逐渐变化的AlGaInP构成的过渡区域构成。 |
| 申请日期 | 1996-12-18 |
| 专利号 | CN1159084A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN96121578.X |
| 公开（公告）号 | CN1159084A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01S5/34 | H01S3/025 |
| 专利代理人 | 范本国 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85494 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田隆,小野健一. 半导体激光装置. CN1159084A[P]. 1997-09-10. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1159084A.PDF（1295KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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