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氮化物半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107851969A, 申请日期: 2018-03-27, 公开日期: 2018-03-27
发明人:  川口真生;  今藤修;  能崎信一郎;  萩野裕幸
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半導体素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28
发明人:  橋本 忠朗;  油利 正昭;  今藤 修;  石田 昌宏
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半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1574526A, 申请日期: 2005-02-02, 公开日期: 2005-02-02
发明人:  伊藤启司;  木户口勋;  高山彻;  今藤修
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003152277A, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-05-23
发明人:  今藤 修;  中西 秀行;  高森 晃
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003115637A, 申请日期: 2003-04-18, 公开日期: 2003-04-18
发明人:  小林 康宏;  今藤 修
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光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002197707A, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-07-12
发明人:  小野澤 和利;  井島 新一;  今藤 修;  油利 正昭
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半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3236208B2, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-12-10
发明人:  高山 徹;  今藤 修;  吉川 昭男;  中西 秀行
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半導体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14
发明人:  石田 昌宏;  油利 正昭;  今藤 修;  中村 真嗣;  折田 賢児
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3040262B2, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-05-15
发明人:  今藤 修;  内藤 浩樹;  粂 雅博;  伊藤 国雄
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窒化物系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998284802A, 申请日期: 1998-10-23, 公开日期: 1998-10-23
发明人:  今藤 修;  油利 正昭;  橋本 忠朗;  石田 昌宏;  杉野 隆
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