已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 氮化物半导体激光元件 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107851969A, 申请日期: 2018-03-27, 公开日期: 2018-03-27 发明人: 川口真生; 今藤修; 能崎信一郎; 萩野裕幸 Adobe PDF(1487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:65/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN103440874B, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2016-12-28 发明人: 岛泽幸司; 进藤修; 土屋芳弘; 伊藤靖浩; 酒井贤司 Adobe PDF(1909Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:75/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 光源装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN104112982A, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22 发明人: 松尾英典; 笹室岳; 近藤秀树 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:47/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体素子及びその製造方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3792041B2, 申请日期: 2006-04-14, 公开日期: 2006-06-28 发明人: 橋本 忠朗; 油利 正昭; 今藤 修; 石田 昌宏 Adobe PDF(213Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:48/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 半导体激光器 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1574526A, 申请日期: 2005-02-02, 公开日期: 2005-02-02 发明人: 伊藤启司; 木户口勋; 高山彻; 今藤修 Adobe PDF(794Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003152277A, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-05-23 发明人: 今藤 修; 中西 秀行; 高森 晃 Adobe PDF(70Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザ装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003115637A, 申请日期: 2003-04-18, 公开日期: 2003-04-18 发明人: 小林 康宏; 今藤 修 Adobe PDF(48Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:37/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 光ピックアップ 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002197707A, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-07-12 发明人: 小野澤 和利; 井島 新一; 今藤 修; 油利 正昭 Adobe PDF(54Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:45/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: JP3236208B2, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-12-10 发明人: 高山 徹; 今藤 修; 吉川 昭男; 中西 秀行 Adobe PDF(140Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2019/12/23 |
| 半導体装置 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000315817A, 申请日期: 2000-11-14, 公开日期: 2000-11-14 发明人: 石田 昌宏; 油利 正昭; 今藤 修; 中村 真嗣; 折田 賢児 Adobe PDF(39Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:43/0  |  提交时间:2020/01/18 |