Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 今藤 修; 内藤 浩樹; 粂 雅博; 伊藤 国雄 | |
| 2000-03-03 | |
| 专利权人 | 松下電子工業株式会社 |
| 公开日期 | 2000-05-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 光情報処理等の光源として用いる半導体レーザ装置において発振波長を安定させ、動作電流値を下げる。 【構成】 Ga1-XAlXAs活性層4の主面の少なくとも一方の側に一導電型のGa1-Y1AlY1As第1光ガイド層5および回折格子を有するGa1-Y2AlY2As第2光ガイド層6が形成されており、第2光ガイド層6の上にストライプ状の窓7aを有する逆導電型のGa1-ZAlZAs電流ブロック層7が形成されており、ストライプ状の窓7aには一導電型のGa1-Y3AlY3Asクラッド層9が形成されており、かつAlAs混晶比を決めるX、Y1、Y2、Y3およびZの間にZ>Y3>Y2>X≧0、Y1>Y2の関係を有する。 |
| 其他摘要 | [目的]在用作光学信息处理等的光源的半导体激光器件中稳定振荡波长并降低工作电流值。 在Ga 1-X Al X 1-Y 1 Al Y1 作为Ga 1-Y2 Al Y2 具有第一光导层5和衍射光栅作为第二导光层6 Ga 1-Z Al Z 作为在第二光导层6上具有条纹窗口7a的反向导电类型的电流阻挡层7并且Ga 1-Y3 Al Y3 作为一种导电类型的包层9形成在条纹窗口7a和AlAs混合确定结晶率的Y，Y 2>X≥0且Y 1> Y 2在X，Y 1，Y 2，Y 3和Z之间。 |
| 申请日期 | 1992-09-29 |
| 专利号 | JP3040262B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992259305 |
| 公开（公告）号 | JP3040262B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/00 | H01S5/12 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88086 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電子工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今藤 修,内藤 浩樹,粂 雅博,等. 半導体レーザ装置. JP3040262B2[P]. 2000-03-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3040262B2.PDF（52KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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