半導体レーザ

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	半導体レーザ
其他题名	半導体レーザ
	今藤修; 中西秀行; 高森晃
	2003-05-23
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2003-05-23
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】利得領域と非注入領域の光分布をほぼ同じにして、カップリングロスによる閾値電流の増大を防止し、同時に、複合共振器効果によるノイズ特性の劣化を防止する。【解決手段】半導体基板1上に形成された、少なくとも1層の第1導電型の第1クラッド層2、活性層3、および少なくとも1層の第2導電型の第2クラッド層4を含むダブルへテロ構造と、半導体レーザのほぼ長手方向に延びるリッジ状の導波路を有する第2導電型の第3クラッド層6と、リッジ状の導波路の側壁に設けられた電流ブロック層8とを備える。少なくとも一方の共振器方向端面近傍に電流非注入領域が形成されるとともに、電流ブロック層の屈折率が第3クラッド層の屈折率と同一である領域を有する。
其他摘要	为了防止阈值电流由于耦合损耗而增加，同时通过使增益区域和非注入区域的光分布基本相等来防止由于复合谐振器效应引起的噪声特性的劣化。解决方案：半导体激光器件具有双层结构，包括至少一层第一导电类型的第一包层2，有源层3，以及形成在半导体衬底1上的至少一个第二导电类型的第二包层4第二导电类型的第三包层6，具有在半导体激光器的纵向方向上延伸的脊形波导和设置在脊形波导的侧壁上的电流阻挡层8 。在至少一个谐振器方向端面附近形成电流非注入区域，并且电流阻挡层的折射率与第三包层的折射率相同。
申请日期	2001-11-15
专利号	JP2003152277A
专利状态	失效
申请号	JP2001350580
公开（公告）号	JP2003152277A
IPC 分类号	H01S5/22 \| G11B7/125 \| H01S5/16 \| H01S7/125
专利代理人	-
代理机构	特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/69686
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	今藤修,中西秀行,高森晃. 半導体レーザ. JP2003152277A[P]. 2003-05-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2003152277A.PDF（70KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文