Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体激光元件 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光元件 |
| 川口真生; 今藤修; 能崎信一郎; 萩野裕幸 | |
| 2018-03-27 | |
| 专利权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 公开日期 | 2018-03-27 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。 |
| 其他摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。 |
| 申请日期 | 2016-07-19 |
| 专利号 | CN107851969A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201680042974.3 |
| 公开（公告）号 | CN107851969A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 齐秀凤 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73286 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川口真生,今藤修,能崎信一郎,等. 氮化物半导体激光元件. CN107851969A[P]. 2018-03-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN107851969A.PDF（1487KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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