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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010098238A, 申请日期: 2010-04-30, 公开日期: 2010-04-30
发明人:  左文字 克哉;  小野澤 和利;  春日井 秀紀;  梶谷 亮
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010003746A, 申请日期: 2010-01-07, 公开日期: 2010-01-07
发明人:  小野澤 和利;  川口 真生
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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4197420B2, 申请日期: 2008-10-10, 公开日期: 2008-12-17
发明人:  小野澤 和利
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4057861B2, 申请日期: 2007-12-21, 公开日期: 2008-03-05
发明人:  小野澤 和利;  上田 哲三;  上田 大助
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多波長レーザモジュールおよびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007109357A, 申请日期: 2007-04-26, 公开日期: 2007-04-26
发明人:  東條 友昭;  井上 謙一;  小野澤 和利
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多波長レーザモジュール及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005283737A, 申请日期: 2005-10-13, 公开日期: 2005-10-13
发明人:  井上 謙一;  シング ビラハムパル;  山中 一彦;  小野澤 和利
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光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002197707A, 申请日期: 2002-07-12, 公开日期: 2002-07-12
发明人:  小野澤 和利;  井島 新一;  今藤 修;  油利 正昭
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受発光ユニットおよびそれを用いた光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002056557A, 申请日期: 2002-02-22, 公开日期: 2002-02-22
发明人:  山中 一彦;  井島 新一;  小野澤 和利
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光学素子およびそれを用いた光学装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001330718A, 申请日期: 2001-11-30, 公开日期: 2001-11-30
发明人:  山中 一彦;  高須賀 祥一;  小野澤 和利;  井島 新一
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