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| 半導体レーザおよび半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3567550B2, 申请日期: 2004-06-25, 公开日期: 2004-09-22
发明人: 鈴木 政勝; 上野山 雄
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| 半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
发明人: 上山 智; 鈴木 政勝; 上野山 雄; 大仲 清司; 高森 晃; 萬濃 正也; 木戸口 勲; 足立 秀人; 石橋 明彦; 福久 敏哉; 熊渕 康仁
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| 半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3206316B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
发明人: 上山 智; 大仲 清司; 上野山 雄; 鈴木 政勝
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| 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000068610A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
发明人: 足立 秀人; 木戸口 勲; 上山 智; 上野山 雄; 萬濃 正也; 福久 敏哉
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| 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999354895A, 申请日期: 1999-12-24, 公开日期: 1999-12-24
发明人: 足立 秀人; 木戸口 勲; 上山 智; 上野山 雄; 萬濃 正也; 福久 敏哉
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| 半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999330632A, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人: 木戸口 勲; 足立 秀人; 上山 智; 上野山 雄
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| 半導体レーザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2958122B2, 申请日期: 1999-07-23, 公开日期: 1999-10-06
发明人: 足立 秀人; 上山 智; 木戸口 勲; 上野山 雄; 萬濃 正也; 福久 敏哉
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| 半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996222811A, 申请日期: 1996-08-30, 公开日期: 1996-08-30
发明人: 上村 信行; 上山 智; 上野山 雄; 佐々井 洋一; 横川 俊哉
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| 半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1996181386A, 申请日期: 1996-07-12, 公开日期: 1996-07-12
发明人: 上山 智; 鈴木 政勝; 上野山 雄
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| 半導体レーザー装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995249826A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26
发明人: 上野山 雄
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