Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 上山 智; 大仲 清司; 上野山 雄; 鈴木 政勝 | |
| 2001-07-06 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2001-09-10 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 6方晶特有の利得特性を利用して高性能の半導体レーザを実現する。 【構成】 (0001)サファイア基板1上に、n-AlxGa1-xNクラッド層2、AlyGa1-yN第1光ガイド層3、GaN量子井戸層4、AlyGa1-yN 第2光ガイド層5、p-AlxGa1-xNクラッド層6を連続的に形成する。その後、エッチングによりリッジストライプ7を形成し、SiO2絶縁膜8を堆積した後アノード電極9およびカソード電極10を形成する。ここで量子井戸層4の幅は50Aであり、この量子井戸層4とクラッド層26とのバンドギャップ差は0.35eVである。このレーザの構成で、量子井戸の幅を変えることにより、光学利得の偏光依存性の大きい領域では低しきい値電流の半導体レーザが、単純な構造で実現できる。 |
| 其他摘要 | [目的]利用六方晶体特有的增益特性实现高性能半导体激光器。 n-Al x Ga 1-x N包覆层2，Al y Ga 1-y N第一光导层3，GaN量子阱层4，AlyGa 1-y N第二光导层5，p-Al x Ga 1 -xN包覆层6连续形成。之后，通过蚀刻形成脊形条纹7，并且在沉积SiO 2 2 绝缘膜8之后形成阳极电极9和阴极电极10。这里，量子阱层4的宽度为50A，量子阱层4和包层26之间的带隙差为0.35eV。在该激光器配置中，通过改变量子阱的宽度，可以在光学增益的偏振依赖性大的区域中以简单的结构实现具有低阈值电流的半导体激光器。 |
| 申请日期 | 1994-08-12 |
| 专利号 | JP3206316B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994190466 |
| 公开（公告）号 | JP3206316B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 岩橋 文雄 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74528 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上山 智,大仲 清司,上野山 雄,等. 半導体レーザ. JP3206316B2[P]. 2001-07-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3206316B2.PDF（88KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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