半導体レーザおよび半導体発光素子

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	半導体レーザおよび半導体発光素子
其他题名	半導体レーザおよび半導体発光素子
	鈴木政勝; 上野山雄
	2004-06-25
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2004-09-22
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】しきい値電流が小さく、光学利得が高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 NGO(011)基板101の上に有機金属気相成長方等の結晶成長方法によってGaNバッファ層102を成長させ、続いてn型AlGaNクラッド層103、n型AlGaN光ガイド層104、AlGaN/GaN量子井戸構造による活性層105、p型AlGaN光ガイド層106、p型AlGaNクラッド層107を成長させ、その一部をn型AlGaN層までエッチングし、カソード電極108とアノード電極を形成する。発光110の方向を図のように選ぶと、TEモードでは光の電場ベクトル111がc面内に平行になる。したがって、上述の内容からc面内で光の進行方向に垂直な方向に圧縮歪112を加えることにより、低しきい値電流の半導体レーザおよび輝度の大きい指向性のある発光素子を得ることができる。
其他摘要	要解决的问题：提供半导体激光器，其阈值电流低且光学增益高。解决方案：GaN缓冲层102，n型AlGaN包层103，n型AlGaN光导层104，具有AlGaN / GaN量子阱结构的有源层105，p型AlGaN光导层106和p型AlGaN包层层107通过晶体生长方法作为有机金属气相生长方法依次在NGO（011）衬底101上生长，并且其一部分被蚀刻到n型AlGaN层以形成阴极108和阳极。当在图1所示的方向上选择发光方向110时，光的电场矢量111在TE模式下与c平面的内部平行。因此，通过在垂直于光的行进方向的方向上将压缩应力112施加到平面内部，获得具有低阈值电流的激光二极管和具有高亮度和方向性的发光元件。
主权项	-
申请日期	1995-10-13
专利号	JP3567550B2
专利状态	失效
申请号	JP1995265206
公开（公告）号	JP3567550B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01S5/00 \| H01L33/32 \| H01L33/00
专利代理人	岩橋文雄 \| 坂口智康 \| 内藤浩樹
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44554
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	鈴木政勝,上野山雄. 半導体レーザおよび半導体発光素子. JP3567550B2[P]. 2004-06-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3567550B2.PDF（105KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文