半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置

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	半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置
其他题名	半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置
	木戸口勲; 足立秀人; 上山智; 上野山雄
	1999-11-30
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1999-11-30
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】半導体レーザを構成する可飽和吸収層やスペーサ層のドーピングの程度や厚さなどを最適に設定することによって、安定な自励発振特性を有し、かつ、信頼性の高い半導体レーザを提供する。【解決手段】活性層106と、活性層106を挟むクラッド構造とを備えた自励発振型半導体レーザ装置であって、クラッド構造は、1×1018cm-3以上のn型不純物がドープされた可飽和吸収層104を含んでいる。可飽和吸収層104中のキャリア寿命は、高濃度の不純物によって低減され、安定した自励発振特性が得られる。その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。
其他摘要	要解决的问题：通过最佳地设定可饱和吸收层和构成半导体激光器的间隔层的掺杂程度和厚度来设置具有稳定的自持脉动特性和高可靠性的半导体激光器。提供。一种自脉冲型半导体激光器件，包括有源层和夹着有源层的包层结构，其中包层结构为1×10 18 cm 可饱和吸收层104掺杂有n-3或更多个n型杂质。通过高浓度的杂质降低了可饱和吸收层104中的载流子寿命，并且可以获得稳定的自持脉动特性。结果，可以在宽温度范围内实现具有低相对噪声强度的半导体激光器。
主权项	-
申请日期	1996-04-25
专利号	JP1999330632A
专利状态	失效
申请号	JP1999108646
公开（公告）号	JP1999330632A
IPC 分类号	H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/065 \| H01S5/227 \| G11B7/125 \| H01S5/00 \| G11B \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60010
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	木戸口勲,足立秀人,上山智,等. 半導体レ—ザ及び該半導体レ—ザを用いた光ディスク装置. JP1999330632A[P]. 1999-11-30.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999330632A.PDF（118KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文