半導体光素子

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	半導体光素子
其他题名	半導体光素子
	上山智; 鈴木政勝; 上野山雄
	1996-07-12
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1996-07-12
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【目的】高効率な短波長半導体光素子を実現する。【構成】 GaAs基板1上に例えばアンモニア雰囲気中で高温でアニールすることにより表面窒化層2を作製する。その後、有機金属気相成長法によりn-Al0.2Ga0.8N第1クラッド層3、GaN/Al0.2Ga0.8N多重量子井戸活性層4、p-Al0.2Ga0.8N第2クラッド層5、p-GaNコンタクト層6を連続的に形成する。続いてSiO2絶縁膜7を堆積して電流注入のためのストライプ状の開口をエッチングにより形成する。最後にアノード電極8、カソード電極9を形成する。この半導体レーザのGaAs基板1からGaNコンタクト層6まではすべて閃亜鉛鉱型結晶により構成されている。【効果】閃亜鉛鉱型GaN系材料では量子効果や2軸性歪等を制御することによりホールの状態密度を大きく低減させることが可能となり、発光素子の効率を格段に向上させることができる。
其他摘要	用途：通过至少构成作为闪锌矿结构的活性层，显着降低空穴的状态密度，提高发光元件的效率。组成：通过高温退火在（001）GaAs衬底1上形成表面氮化物层。氨气氛。之后，形成N-Al0.2Ga0.8N的第一包层3，GaN / Al0.2Ga0.8N的多量子阱有源层4，P-Al0.2Ga0.8的第二包层5通过有机金属气相沉积方法连续形成N和P-GaN接触层6。所有GaAs衬底1-GaN接触层6均由闪锌矿型晶体构成。在AlGaInN系统中，在有源层4中使用闪锌矿型晶体，并且进一步控制量子效应，2-轴型应变等。由此可以获得发光效率高于传统元件的短波长半导体发光元件。
申请日期	1994-12-22
专利号	JP1996181386A
专利状态	失效
申请号	JP1994320240
公开（公告）号	JP1996181386A
IPC 分类号	H01L33/14 \| H01S5/323 \| H01S5/00 \| H01L33/32 \| H01L33/06 \| H01L29/06 \| H01S5/343 \| H01S3/18 \| H01L33/00
专利代理人	小鍜治明 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78970
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	上山智,鈴木政勝,上野山雄. 半導体光素子. JP1996181386A[P]. 1996-07-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996181386A.PDF（32KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文