半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置

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	半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
其他题名	半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
	足立秀人; 木戸口勲; 上山智; 上野山雄; 萬濃正也; 福久敏哉
	1999-12-24
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	1999-12-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】特に半導体レーザを構成する可飽和吸収層やスペーサ層のドーピングの程度や厚さを適切に設定することによって、安定な自励発振特性を有する高信頼性の半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層と、を含む。装置は、更に、活性層204に隣接したスペーサ層205と、高ドープ可飽和吸収層206と、を含む。可飽和吸収層206に高ドープすることにより、キャリア寿命が短縮されて、安定した自励発振が得られる。その結果、広い温度範囲に渡って低い相対雑音強度を有する半導体レーザ装置が得られる。
其他摘要	要解决的问题：通过适当地设定构成半导体激光器的可饱和吸收层和间隔层的掺杂程度和厚度，提供具有稳定自激振荡特性的高度可靠的半导体激光器。解决方案：半导体激光器件包括衬底201，衬底201由n型GaAs，有源层204和夹着有源层204的一对包层组成。此外，该器件包括与其相邻的间隔层205。通过对可饱和吸收层206进行重掺杂，可以减少载流子寿命并且可以获得稳定的自激振荡，从而获得具有低相对噪声强度的半导体激光器件，从而获得有源层204和重掺杂可饱和吸收层206。宽温度范围。
主权项	-
申请日期	1996-03-27
专利号	JP1999354895A
专利状态	失效
申请号	JP1999123226
公开（公告）号	JP1999354895A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/065 \| G11B7/125 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67518
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	足立秀人,木戸口勲,上山智,等. 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置. JP1999354895A[P]. 1999-12-24.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1999354895A.PDF（316KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文