Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光素子 | |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 上村 信行; 上山 智; 上野山 雄; 佐々井 洋一; 横川 俊哉 | |
| 1996-08-30 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 1996-08-30 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 埋め込みヘテロ構造の半導体発光素子を提供する。 【構成】 メサ状構造の埋め込み材料としてクラッド層より屈折率の低く、かつSiO2、ポリイミドなどよりも熱伝導性がよいZn1-xCdxS(0≦x≦0.57)を用いるものである。それにより、GaAs基板に格子整合させることができ、従来よりも欠陥密度が少なく、埋め込み層の熱伝導性がよくなる。従って埋め込み層のはがれなどプロセス上の問題が生じない、特性のよい長寿命の単一横モード発振を実現する半導体発光素子を得る。 |
| 其他摘要 | 目的：为了获得具有优异特性和长寿命的半导体发光元件，并且能够通过使用多层的特定埋层作为用于光拾取的光源来实现单横模振荡并提高其可靠性。超晶格作为半导体发光元件的脊形或台面形结构的掩埋材料。组成：ZnCdS埋层12在格子中与GaAs衬底1匹配。结果，缺陷密度小，结晶性提高。由于使用II-VI系列的材料，因此改善了导热性。 ZnCdS掩埋层12的带隙为2.90eV，折射率为2.61，并且它们小于ZnMgSSe覆盖层4的带隙。掩埋激光器的掩埋区域的有效折射率为2.674并且它更小比当前注入区域的那个。通过这种方式可以获得具有优异特性和长寿命并且能够执行单横模振荡的半导体发光元件。当激光器结构的掩埋层的组成范围是Zn1-x Cdx S时，（x）的值仅需要为0 <= x <= 0.7。 |
| 申请日期 | 1995-02-15 |
| 专利号 | JP1996222811A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1995027085 |
| 公开（公告）号 | JP1996222811A |
| IPC 分类号 | H01L33/06 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小鍜治 明 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80252 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上村 信行,上山 智,上野山 雄,等. 半導体発光素子. JP1996222811A[P]. 1996-08-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996222811A.PDF（149KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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