半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置

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	半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
其他题名	半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置
	足立秀人; 木戸口勲; 上山智; 上野山雄; 萬濃正也; 福久敏哉
	2000-03-03
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2000-03-03
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】特に半導体レーザを構成する可飽和吸収層やスペーサ層のドーピングの程度や厚さを適切に設定することによって、安定な自励発振特性を有する高信頼性の半導体レーザを提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層と、を含む。装置は、更に、活性層204に隣接したスペーサ層205と、高ドープ可飽和吸収層206と、を含む。可飽和吸収層206に高ドープすることにより、キャリア寿命が短縮されて、安定した自励発振が得られる。その結果、広い温度範囲に渡って低い相対雑音強度を有する半導体レーザ装置が得られる。
其他摘要	要解决的问题：通过一种方法提供具有稳定的自激振荡特性的高度可靠的半导体激光器，其中构成激光器的可饱和吸收层和间隔层的掺杂程度以及可饱和吸收的厚度和间隔层是专门设置的。解决方案：该半导体激光器包括由N型GaAs膜构成的衬底201，有源层204和在它们之间保持层204的一对包层。激光器还包括与层204相邻的间隔层205和高度掺杂的可饱和吸收层206.层206布置在与层204分开的位置，使得层206的光学限制系数设定为约1％或更高。通过高度掺杂层206，缩短了层206中载流子的寿命，并获得了激光器的稳定自激振荡。结果，获得了具有在宽温度范围内延伸的相对低的噪声强度的半导体激光器。
申请日期	1996-03-27
专利号	JP2000068610A
专利状态	失效
申请号	JP1999123225
公开（公告）号	JP2000068610A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/065 \| G11B7/125 \| H01S5/00
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/88368
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	足立秀人,木戸口勲,上山智,等. 半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置. JP2000068610A[P]. 2000-03-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000068610A.PDF（169KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文