半導体発光素子及び半導体発光装置

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	半導体発光素子及び半導体発光装置
其他题名	半導体発光素子及び半導体発光装置
	上山智; 鈴木政勝; 上野山雄; 大仲清司; 高森晃; 萬濃正也; 木戸口勲; 足立秀人; 石橋明彦; 福久敏哉; 熊渕康仁
	2001-11-22
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2002-02-04
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】しきい値電流の小さい半導体レーザを提供する。【解決手段】 LiTaO3基板201上にAlN層202、n-AlzGa1-zN層203、AlyGa1-yN 第1光ガイド層204、InxGa1-xN/GaN多重量子井戸活性層205、AlyGa1-yN 第2光ガイド層206、p-AlzGa1-zNクラッド層207を連続的に形成する。エッチングによりリッジストライプ208を形成し、SiO2絶縁膜209を堆積した後、電流注入のためにSiO2絶縁膜209に開口部210および211を形成する。最後にアノード電極212およびカソード電極213を形成する。このウルツ鉱型InGaN/AlGaN量子井戸半導体レーザを構成する層構造は、800〜1100℃の範囲で作製される。したがって成長終了後に室温に戻された結晶と基板との熱膨張係数差によって発生する歪により、半導体レーザのしきい値電流が小さくなる。
其他摘要	要解决的问题：提供具有低阈值电流的半导体激光器。解决方案：AlN层202，n型Alz Ga1-z N层203，第一Aly Ga1-y N光导层204，Inx Ga1-x N / GaN多量子阱有源层205，第二Aly Ga1 -y N导光层206和p型Alz Ga1-z N包层207连续地形成在LiTaQ3基板201上。通过蚀刻形成脊形条208，并且在沉积SiO 2绝缘膜209之后，开口部210在用于电流注入的膜209中形成211和211。最后，形成阳极212和阴极。构成该纤锌矿结构的层结构InGaN / AlGaN量子阱半导体激光器在800至1100℃的温度范围内制造。因此，半导体激光器的阈值电流因失真而降低，该失真是由生长结束后返回到室温的晶体的热膨胀系数与基板之间的差异产生的。
申请日期	1996-01-19
专利号	JP3252779B2
专利状态	失效
申请号	JP1998006679
公开（公告）号	JP3252779B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/16 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01L21/205 \| H01S5/00 \| H01L33/44 \| H01L33/00
专利代理人	岩橋文雄 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47708
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	上山智,鈴木政勝,上野山雄,等. 半導体発光素子及び半導体発光装置. JP3252779B2[P]. 2001-11-22.

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JP3252779B2.PDF（197KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文