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一种半导体外腔锁模激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN207664438U, 申请日期: 2018-07-27, 公开日期: 2018-07-27
发明人:  王枫秋;  秦嘉嵘;  孟亚飞;  黄磊;  黎遥;  徐永兵;  施毅;  祝世宁;  张荣
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基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108063364A, 申请日期: 2018-05-22, 公开日期: 2018-05-22
发明人:  王枫秋;  秦嘉嵘;  孟亚飞;  黄磊;  黎遥;  徐永兵;  施毅;  祝世宁;  张荣
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GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785913A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人:  刘斌;  陶涛;  智婷;  张荣;  谢自力;  陈鹏;  陈敦军;  韩平;  施毅;  郑有炓
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基于宽光谱分束合束的波长可调节光源构建方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105680317A, 申请日期: 2016-06-15, 公开日期: 2016-06-15
发明人:  詹秋芳;  张荣福;  高秀敏
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日盲紫外DBR及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103400912A, 申请日期: 2013-11-20, 公开日期: 2013-11-20
发明人:  陈敦军;  张荣;  郑有炓
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稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102603190A, 申请日期: 2012-07-25, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  王学锋;  杨森林;  施毅;  张荣;  郑有炓
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一种太赫兹波段的无线发射接收装置及其发射接收方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101713687B, 申请日期: 2011-03-16, 公开日期: 2011-03-16
发明人:  谭智勇;  曹俊诚;  郭旭光;  黎华;  韩英军;  张戎
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在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100418240C, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
发明人:  谢自力;  张荣;  韩平;  刘成祥;  周圣明;  修向前;  刘斌;  李亮;  郑有炓;  顾书林;  江若琏;  施毅;  朱顺明;  胡立群
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基于金属诱导结晶工艺的新型Si基Ge量子点结构制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1747130A, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2006-03-15
发明人:  施毅;  鄢波;  濮林;  张匡吉;  韩平;  张荣;  郑有炓
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分子束外延自组织生长量子线结构材料制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1312583A, 申请日期: 2001-09-12, 公开日期: 2001-09-12
发明人:  阎发旺;  张文俊;  张荣桂;  梁春广
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