GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法

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	GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
其他题名	GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
	刘斌; 陶涛; 智婷; 张荣; 谢自力; 陈鹏; 陈敦军; 韩平; 施毅; 郑有炓
	2017-05-31
专利权人	南京大学
公开日期	2017-05-31
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面，其结构依次包括：蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点：(1)具有很小的光模体积，能够突破光的衍射极限，实现亚微米尺寸激光器；(2)具有极低的激射阈值，MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射；(3)能够对激光的模式进行调控，实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示，复杂生物成像，硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
其他摘要	本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器，由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成，基片结构依次包括：SiO2‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层；所述InGaN/GaN量子阱纳米柱放置于超薄氧化物层表面，其结构依次包括：蓝宝石衬底层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN量子阱有源层和p型GaN层。并公开了其制备方法。该激光器结构具有以下优点：(1)具有很小的光模体积，能够突破光的衍射极限，实现亚微米尺寸激光器；(2)具有极低的激射阈值，MUTOS激光结构能够在0.15kW/cm2的光泵下产生激射；(3)能够对激光的模式进行调控，实现单模和多模激光发射。本发明的激光器结构在超高分辨智能显示，复杂生物成像，硅基集成电路与光电子器件光电互联方面都有潜在应用价值。
申请日期	2017-01-04
专利号	CN106785913A
专利状态	申请中
申请号	CN201710005563.3
公开（公告）号	CN106785913A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/343
专利代理人	王清义
代理机构	北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92019
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	刘斌,陶涛,智婷,等. GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法. CN106785913A[P]. 2017-05-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106785913A.PDF（289KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文