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基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器
其他题名基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器
王枫秋; 秦嘉嵘; 孟亚飞; 黄磊; 黎遥; 徐永兵; 施毅; 祝世宁; 张荣
2018-05-22
专利权人南京大学
公开日期2018-05-22
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明公开了一种基于砷化镉可饱和吸收材料的半导体外腔锁模激光器。依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成;其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射镜构成的物理组合结构上,形成锁模脉冲;用于实现锁模脉冲输出的砷化镉薄膜厚度控制在30nm‑1μm,该可饱和吸收体工作波长覆盖2‑6微米的红外区域。本发明可以在中红外波段直接实现超快、高稳定、波长可调谐的锁模脉冲输出。
其他摘要本发明公开了一种基于砷化镉可饱和吸收材料的半导体外腔锁模激光器。依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成;其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射镜构成的物理组合结构上,形成锁模脉冲;用于实现锁模脉冲输出的砷化镉薄膜厚度控制在30nm‑1μm,该可饱和吸收体工作波长覆盖2‑6微米的红外区域。本发明可以在中红外波段直接实现超快、高稳定、波长可调谐的锁模脉冲输出。
主权项一种基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器,其特征在于:依次由可连续、直接工作于中红外波段的半导体激光器、砷化镉薄膜、衍射光栅、透镜和反射镜构成;其中半导体激光器经透镜准直、衍射光栅衍射最终聚焦在砷化镉薄膜与反射镜构成的物理组合结构上,形成锁模脉冲;用于实现锁模脉冲输出的砷化镉薄膜厚度控制在30nm-1μm,该可饱和吸收体工作波长覆盖2-6微米的红外区域。
申请日期2018-01-05
专利号CN108063364A
专利状态申请中
申请号CN201810012159.3
公开(公告)号CN108063364A
IPC 分类号H01S5/065 | H01S5/14
专利代理人陈建和
代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/56771
专题半导体激光器专利数据库
作者单位南京大学
推荐引用方式
GB/T 7714
王枫秋,秦嘉嵘,孟亚飞,等. 基于砷化镉材料的半导体外腔锁模激光器. CN108063364A[P]. 2018-05-22.
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