Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 | |
| 其他题名 | 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用 |
| 王学锋; 杨森林; 施毅; 张荣; 郑有炓 | |
| 2012-07-25 | |
| 专利权人 | 南京大学 |
| 公开日期 | 2012-07-25 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种稀土掺杂的硫系(卤)薄膜材料，在锗镓基的硫系(卤)薄膜中共同掺杂两种稀土离子，即三价稀土离子铥Tm3+和镝Dy3+；所述的薄膜材料是无定形的；形成近红外多波段发射特征的光学有源薄膜材料；其薄膜材料的化学组成与其玻璃块体靶材基本保持一致，玻璃基础靶材的组成为：GeS2:72mol%；Ga2S3:18mol%；CdI2:10mol%，且Tm3+和Dy3+的掺杂浓度为玻璃基础靶材重量比的0±0.2wt%和0.4±0.1wt%。在808nm波长的激光二极管泵浦下可以实现薄膜样品的高带宽发射。本发明所得到的无定形硫系(卤)薄膜材料组分均匀、易控制；材料制备参数易调整。 |
| 其他摘要 | 一种稀土掺杂的硫系(卤)薄膜材料，在锗镓基的硫系(卤)薄膜中共同掺杂两种稀土离子，即三价稀土离子铥Tm3+和镝Dy3+；所述的薄膜材料是无定形的；形成近红外多波段发射特征的光学有源薄膜材料；其薄膜材料的化学组成与其玻璃块体靶材基本保持一致，玻璃基础靶材的组成为：GeS2:72mol%；Ga2S3:18mol%；CdI2:10mol%，且Tm3+和Dy3+的掺杂浓度为玻璃基础靶材重量比的0±0.2wt%和0.4±0.1wt%。在808nm波长的激光二极管泵浦下可以实现薄膜样品的高带宽发射。本发明所得到的无定形硫系(卤)薄膜材料组分均匀、易控制；材料制备参数易调整。 |
| 申请日期 | 2012-03-05 |
| 专利号 | CN102603190A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201210054997.X |
| 公开（公告）号 | CN102603190A |
| IPC 分类号 | C03C3/32 | C03C17/22 | G02F1/39 | H01S3/17 |
| 专利代理人 | 汤志武 |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91113 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王学锋,杨森林,施毅,等. 稀土掺杂硫系(卤)薄膜材料、制备方法及应用. CN102603190A[P]. 2012-07-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102603190A.PDF（113KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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