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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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中国科学院西安光学精... [8]
作者
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期刊论文 [8]
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2003 [1]
2001 [1]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
1996 [1]
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文献类型:期刊论文
专题:中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
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Cubic MgxZn1-xO films grown on Si(111)
期刊论文
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1385-1388
作者:
Qiu, DJ
;
Wu, HZ
;
Chen, NB
;
Tian, WJ
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浏览/下载:224/1
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提交时间:2015/11/12
Reactive E-beam Evaporation
Cubic Mgxzn1-xo Film
High-quality GaN grown by gas-source MBE
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389
作者:
Wang, JX
;
Sun, DZ
;
Wang, XL
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Hou, X
;
Lin, LY
Adobe PDF(100Kb)
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浏览/下载:234/0
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提交时间:2015/11/09
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Simple technique for testing deep aspherical surfaces
期刊论文
OPTICAL ENGINEERING, 1999, 卷号: 38, 期号: 4, 页码: 650-654
作者:
Yun, ZS
;
Lam, YL
;
Zhou, Y
;
Li, YL
;
Liu, ZB
;
Liu, J
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提交时间:2015/11/03
Aspheric Surface
Liquid Crystal
Optical Testing
Interferometry
The forward and inverse models in time-resolved optical tomography imaging and their finite-element method solutions
期刊论文
IMAGE AND VISION COMPUTING, 1998, 卷号: 16, 期号: 9-10, 页码: 703-712
作者:
Gao, F
;
Niu, H
;
Zhao, H
;
Zhang, H
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提交时间:2015/10/21
Optical Tomography
Finite-element Method
Image Reconstruction
Inverse Problem
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
作者:
Wang, XL
;
Sun, DZ
;
Kong, MY
;
Hou, X
;
Zeng, YP
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提交时间:2018/06/13
Quantum Wells
Gsmbe
Ingaas/inp
Photoluminescence
Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1996, 卷号: 15, 期号: 3, 页码: 189-191
作者:
Liang, JC
;
Zhao, JL
;
Gao, Y
;
Dou, K
;
Huang, SH
;
Yu, JQ
;
Gao, HK
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提交时间:2018/06/13
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1995, 卷号: 14, 期号: 14, 页码: 1004-1006
作者:
ZHAO, JL
;
GAO, Y
;
LIU, XY
;
DOU, K
;
HUANG, SH
;
YU, JQ
;
LIANG, JC
;
GAO, HK
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提交时间:2018/06/13
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS, 1994, 卷号: 13, 期号: 23, 页码: 1694-1696
作者:
ZHAO, JL
;
GAO, Y
;
LIU, XY
;
SU, XA
;
HUANG, SH
;
YU, JQ
;
LIANG, JC
;
GAO, HK
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提交时间:2018/06/13