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半导体激光器芯片、其封装方法及半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110289549A, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
Inventors:  赵碧瑶;  井红旗;  刘翠翠;  刘素平;  马骁宇
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一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785829B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
Inventors:  陈泳屹;  胡永生;  秦莉;  宁永强;  林杰;  刘星元;  王立军
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一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106785829B, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27
Inventors:  陈泳屹;  胡永生;  秦莉;  宁永强;  林杰;  刘星元;  王立军
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
Inventors:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025795B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
Inventors:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  王文知;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
Inventors:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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基于纳米压印光栅的两步干法刻蚀方法及外延片和激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106099637B, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
Inventors:  王海丽;  赵懿昊;  张奇;  仲莉;  刘素平;  马骁宇
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半导体器件芯片结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110277733A, 申请日期: 2019-09-24, 公开日期: 2019-09-24
Inventors:  曼玉选;  祁琼;  彭岩;  刘素平;  马骁宇
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基于低温共烧陶瓷的光电集成封装结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN110265876A, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
Inventors:  张志珂;  韩雪妍;  赵泽平;  郭锦锦;  刘建国
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一种分布式布拉格反射镜激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209389448U, 申请日期: 2019-09-13, 公开日期: 2019-09-13
Inventors:  李全杰;  刘向英
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