STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION

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	STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION
	ZHAO, JL 1; GAO, Y 1; LIU, XY 1; SU, XA 1; HUANG, SH 1; YU, JQ 1; LIANG, JC 2; GAO, HK 3
作者部门	中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
	1994-12-01
发表期刊	JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS
ISSN	0261-8028
卷号	13 期号:23 页码:1694-1696
产权排序	3
文章类型	Article
WOS标题词	Science & Technology ; Technology
收录类别	SCI
关键词[WOS]	EPITAXIAL GAAS ; DEFECTS
语种	英语
WOS研究方向	Materials Science
WOS类目	Materials Science, Multidisciplinary
WOS记录号	WOS:A1994PX08400014
引用统计	被引频次：3[WOS] [WOS记录] [WOS相关记录]
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30326
专题	中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
作者单位	1.CIVIL AVIAT INST CHINA,DEPT BASIC SCI,TIANJIN 300300,PEOPLES R CHINA 2.CHINESE ACAD SCI,CHANGCHUN INST PHYS,CHANGCHUN 130021,PEOPLES R CHINA 3.CHINESE ACAD SCI,XIAN INST OPT & PRECIS MECH,XIAN 710068,PEOPLES R CHINA
推荐引用方式 GB/T 7714	ZHAO, JL,GAO, Y,LIU, XY,et al. STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,1994,13(23):1694-1696.
APA	ZHAO, JL.,GAO, Y.,LIU, XY.,SU, XA.,HUANG, SH.,...&GAO, HK.(1994).STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,13(23),1694-1696.
MLA	ZHAO, JL,et al."STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .2. 1.13 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSION".JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 13.23(1994):1694-1696.

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