Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS | |
ZHAO, JL1; GAO, Y1; LIU, XY1; DOU, K1; HUANG, SH1; YU, JQ1; LIANG, JC2; GAO, HK3 | |
作者部门 | 中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
1995-07-15 | |
发表期刊 | JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS |
ISSN | 0261-8028 |
卷号 | 14期号:14页码:1004-1006 |
产权排序 | 3 |
文章类型 | Article |
WOS标题词 | Science & Technology ; Technology |
收录类别 | SCI |
关键词[WOS] | SEMI-INSULATING GAAS ; MOLECULAR-BEAM EPITAXY ; LOW-TEMPERATURES ; LUMINESCENCE ; EXCITATION |
语种 | 英语 |
WOS研究方向 | Materials Science |
WOS类目 | Materials Science, Multidisciplinary |
WOS记录号 | WOS:A1995RL97100010 |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30327 |
专题 | 中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前) |
作者单位 | 1.CHINESE ACAD SCI,CHANGCHUN INST PHYS,EXCITED STATE PROC LAB,CHANGCHUN 130021,PEOPLES R CHINA 2.CIVIL AVIAT INST CHINA,DEPT BASIC SCI,TIANJIN 300300,PEOPLES R CHINA 3.CHINESE ACAD SCI,XIAN INST OPT & FINE MECH,XIAN 710068,PEOPLES R CHINA |
推荐引用方式 GB/T 7714 | ZHAO, JL,GAO, Y,LIU, XY,et al. STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,1995,14(14):1004-1006. |
APA | ZHAO, JL.,GAO, Y.,LIU, XY.,DOU, K.,HUANG, SH.,...&GAO, HK.(1995).STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,14(14),1004-1006. |
MLA | ZHAO, JL,et al."STUDIES ON DEEP LEVELS IN GAAS EPILAYERS GROWN ON SI BY METAL-ORGANIC CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION .3. 0.78 AND 0.84 EV PHOTOLUMINESCENCE EMISSIONS".JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 14.14(1995):1004-1006. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
STUDIES ON DEEP LEVE(259KB) | 期刊论文 | 出版稿 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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