Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission

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	Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission
	Liang, JC 1; Zhao, JL 2; Gao, Y 2; Dou, K 2; Huang, SH 2; Yu, JQ 2; Gao, HK 3
作者部门	中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
	1996-02-01
发表期刊	JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS
ISSN	0261-8028
卷号	15 期号:3 页码:189-191
产权排序	3
文章类型	Article
WOS标题词	Science & Technology ; Technology
收录类别	SCI
关键词[WOS]	SEMI-INSULATING GAAS ; EPITAXIAL GAAS ; DEFECTS
语种	英语
WOS研究方向	Materials Science
WOS类目	Materials Science, Multidisciplinary
WOS记录号	WOS:A1996UA90100003
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/30328
专题	中国科学院西安光学精密机械研究所(2010年前)
作者单位	1.CIVIL AVIAT INST CHINA,DEPT BASIC SCI,TIANJIN 300300,PEOPLES R CHINA 2.CHINESE ACAD SCI,CHANGCHUN INST PHYS,LAB EXCITED STATE PROC,CHANGCHUN 130021,PEOPLES R CHINA 3.CHINESE ACAD SCI,XIAN INST OPT & FINE MECH,XIAN 710068,PEOPLES R CHINA
推荐引用方式 GB/T 7714	Liang, JC,Zhao, JL,Gao, Y,et al. Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission[J]. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,1996,15(3):189-191.
APA	Liang, JC.,Zhao, JL.,Gao, Y.,Dou, K.,Huang, SH.,...&Gao, HK.(1996).Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission.JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS,15(3),189-191.
MLA	Liang, JC,et al."Studies on deep levels in GaAs epilayers grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition .4. 0.96 eV photoluminescence emission".JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE LETTERS 15.3(1996):189-191.

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Studies on deep leve（227KB）	期刊论文	出版稿	限制开放	CC BY-NC-SA	请求全文