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Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan;  Ma, Xiaoyu
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Laser Diode  Mocvd  Gaas  Inp  
大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  闫欣
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红外探测器  Ingaas  Msm  Mocvd  暗电流  
MSM光电探测器及其高频特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  朱元涛
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Ingaas  Msm-pd  红外探测器  Mocvd  高频特性  
一种全光固体扫描器的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:  范森
Adobe PDF(1678Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：148/11  |  提交时间：2013/06/06
全光固体扫描器  Mocvd  光偏转  光斑模式  Gaas  
自由空间激光通信探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  辛丽伟
Adobe PDF(1418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：178/8  |  提交时间：2012/07/09
Mocvd  激光通信  红外探测器  Msm  Ingaas  
Growth of short-period InAs/GaSb superlattices for infrared sensing 期刊论文
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 511-+
作者:  Wang Tao;  Yang Jin;  Yin Fei;  Wang Jing-Wei;  Hu Ya-Nan;  Zhang Li-Chen;  Yin Jing-Zhi
Adobe PDF(642Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：180/4  |  提交时间：2015/09/28
Inas/gasb Superlattice  Band Gap  Metal Organic Chemical Vapor Deposition (Mocvd)  Atomic Force Microscope(Afm)  Pl Spectra  
InAs/GaSb type-II superlattice grown by MOCVD for long-wavelength infrared detection 期刊论文
OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS-RAPID COMMUNICATIONS, 2011, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 1017-1020
作者:  Xin, Liwei;  Wang, Tao;  Yang, Jin;  Wang, Jingwei;  Yin, Fei;  Hu, Yanan;  Jiao, Guohua;  Zhang, Lichen;  Yin, Jingzhi;  Song, Zhenyu
Microsoft Word(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：426/6  |  提交时间：2014/01/07
B1.inas/gasb  A3.superlattices  A3.source Flux Control  A3.mocvd  A1.pl Spectra  
InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:  ChangYuchun;  WangTao;  YinFei;  WangJingwei;  SongZhenyu;  WangYiding;  YinJingzhi;  Jingzhi Yin
Adobe PDF(700Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：553/6  |  提交时间：2012/06/29
Inas/gasb Superlattices  Inassb Interface Layer  Growth Temperature  Lp-mocvd  
面阵式激光雷达探测芯片的设计与制作 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所., 2009
作者:  尹飞
Microsoft Word(6159Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：821/5  |  提交时间：2011/10/09
Msm光探测器  Gaas  激光雷达  Lp-mocvd  光刻工艺  
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:  Yan Jun-Feng;  Wang Tao;  Wang Jing-Wei;  Zhang Zhi-Yong;  Zhao Wu
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Metalorganic Chemical Vapour Deposition (Mocvd)  Antimonides  Semiconducting Indium Compounds