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Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan;  Ma, Xiaoyu
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Laser Diode  Mocvd  Gaas  Inp  
大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  闫欣
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红外探测器  Ingaas  Msm  Mocvd  暗电流