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基于低维结构的跨光谱高效锑化物红外探测器研究 学位论文
, 西安: 西安交通大学（光机所联合培养）, 2019
作者:  郭春妍
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锑化物半导体  分子束外延  可见红外融合型探测器  中长双色红外探测器  新型锑化物遥感探测器  
InAsSb材料的LP-MOCVD生长 期刊论文
半导体光电, 2015, 卷号: 36, 期号: 5, 页码: 733-735+740
作者:  徐庆安;  邵逸恺;  汪韬;  尹飞;  闫欣;  辛丽伟;  王警卫
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InAs/GaSb superlattices grown by LP-MOCVD for similar to 10 mu m wavelength infrared range 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 6, 页码: 478-481
作者:  ChangYuchun;  WangTao;  YinFei;  WangJingwei;  SongZhenyu;  WangYiding;  YinJingzhi;  Jingzhi Yin
Adobe PDF(700Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：553/6  |  提交时间：2012/06/29
Inas/gasb Superlattices  Inassb Interface Layer  Growth Temperature  Lp-mocvd  
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:  Yan Jun-Feng;  Wang Tao;  Wang Jing-Wei;  Zhang Zhi-Yong;  Zhao Wu
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Metalorganic Chemical Vapour Deposition (Mocvd)  Antimonides  Semiconducting Indium Compounds  
LP-MOCVD growth and characterisation of InAsSb ternary 期刊论文
Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: 45-49
作者:  Li XT(李晓婷);  Li XT(李晓婷)
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Long wavelength DH, SCH and MQW lasers based on Sb 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6108360, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
发明人:  RAZEGHI, MANIJEH
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Infrared light sources with semimetal electron injection 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5995529, 申请日期: 1999-11-30, 公开日期: 1999-11-30
发明人:  KURTZ, STEVEN R.;  BIEFELD, ROBERT M.;  ALLERMAN, ANDREW A.
Adobe PDF(142Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/12/26