GaN系結晶膜の製造方法

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	GaN系結晶膜の製造方法
其他题名	GaN系結晶膜の製造方法
	伊藤茂稔; 近江晋
	2009-10-16
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2009-12-24
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】 GaN系半導体デバイスの結晶成長用に適し、欠陥密度の低い高品質のGaN系結晶連続膜を備えた結晶基板とその製造方法を提供する。【解決手段】本結晶基板には表面がC面のサファイア基板101上にGaNバッファ層102、エピタキシャル成長GaN層103、及びSiO2膜104が順次形成された基体10上に、複数の島状GaN系結晶11と、その上に形成されたGaN系結晶連続膜12とを備えている。GaN層103の表面に複数の開口部105を有するSiO2膜104を真空蒸着やCVD法で形成後、NH3とN2の混合雰囲気中でGaN粉末原料を昇華させ、基体上の該開口部105にGaN系化合物を選択再結晶化させることにより、複数の島状GaN系結晶11を得る第1の結晶成長工程と、該結晶11を核としてGaN系結晶を形成することにより、GaN系結晶連続膜12を得る第2の結晶成長工程とから成る。
其他摘要	要解决的问题：提供具有适合于GaN系半导体器件的晶体生长的具有低缺陷密度和高质量的GaN系晶体连续膜的晶体衬底，以及制造该晶体衬底的方法。解决方案：在该晶体衬底中，在其上形成的多个岛状GaN系晶体11和GaN系晶体连续膜12形成在衬底10上，其中GaN缓冲层102，外延生长GaN层103和SiO2膜104在表面为C面的蓝宝石衬底101上连续生长。通过真空蒸发或CVD方法在GaN层103的表面上形成具有多个开口105的SiO2膜104，在NH3和N2的混合气氛中使GaN粉末材料升华，并且选择性地使GaN系化合物重结晶。基板上的开口105。该方法由用于获得多个岛状GaN系晶体11的第一晶体生长工艺和用于通过使用晶体11作为晶体11形成GaN系晶体来获得GaN系晶体连续膜12的第二晶体生长工艺构成。核心。
申请日期	1998-05-18
专利号	JP4390090B2
专利状态	失效
申请号	JP1998135776
公开（公告）号	JP4390090B2
IPC 分类号	H01L \| H01S5/02 \| H01L33/12 \| H01S5/00 \| H01L21/20 \| H01L33/32 \| H01L33/28
专利代理人	山本秀策 \| 安村高明 \| 大塩竹志
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47386
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	伊藤茂稔,近江晋. GaN系結晶膜の製造方法. JP4390090B2[P]. 2009-10-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4390090B2.PDF（95KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文