Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| 毛利 裕一; 近江 晋 | |
| 2009-11-20 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2010-02-03 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 亀裂発生を防止しつつ、層厚バラツキの低減された半導体レーザ素子を製造することを主要な目的とする。 【解決手段】 半導体レーザウエハ101は、ストライプ状の溝103が形成された窒化物半導体基板102の上に、半導体レーザーを構成する窒化物半導体膜106が形成されてなる。溝103の少なくとも一部に、窒化物半導体膜106の層厚バラツキを抑制するための低温バッファ層105が設けられている。半導体レーザウエハ101にレーザ導波路107や電極を形成した後、紙面に平行な面に劈開して共振器端面を設け、紙面に垂直かつ分割線108に平行な面で分割することにより半導体レーザチップを得る。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种半导体激光元件，其中层厚度的变化减小，同时防止裂缝。解决方案：半导体激光晶片101通过在其中形成条纹状凹槽103的氮化物半导体衬底102上形成构成半导体激光器的氮化物半导体膜106而构成。用于抑制氮化物半导体膜106的层厚度变化的低温缓冲层105至少设置在沟槽103的一部分上。在半导体激光晶片101上形成激光波导107和电极等之后通过切割平行于页面空间的表面来提供谐振器的端面，并且通过用垂直于页面空间的表面划分并进一步平行于分界线108来获得半导体激光器芯片。 |
| 申请日期 | 2004-12-24 |
| 专利号 | JP4408802B2 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2004374350 |
| 公开（公告）号 | JP4408802B2 |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 大前 要 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47571 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 毛利 裕一,近江 晋. 窒化物半導体発光素子およびその製造方法. JP4408802B2[P]. 2009-11-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP4408802B2.PDF（58KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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