Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaN系レーザ素子 | |
| 其他题名 | GaN系レーザ素子 |
| 近江 晋; 伊藤 茂稔; 大野 智輝; 川上 俊之 | |
| 2006-12-28 | |
| 专利权人 | シャープ株式会社 |
| 公开日期 | 2006-12-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】雑音が低減されたGaN系レーザ素子を提供する。 【解決手段】発光層を含むGaN系半導体積層構造を含むGaN系レーザ素子において、その半導体積層構造にはストライプ状導波路構造が作り込まれているとともに、そのストライプ状導波路を幅方向に挟むように対向した2つの側面が形成されており、それら2つの側面の少なくとも一部上には幅方向におけるファブリペロー共振器としての作用を抑制するための反射抑制膜が形成されており、その反射抑制膜は波長390〜420nmの領域で10%以下の反射率を有することを特徴としている。 【選択図】図16 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供基于GaN的激光元件，降低噪声。 ŽSOLUTION：在包含GaN基半导体层状结构的GaN基激光元件中，包含发光层，在半导体层状结构中制造条形波导结构，并且两个面彼此面对地形成以夹住条纹形状波导在宽度方向上。形成反射控制膜，用于至少在这两侧的一部分上在宽度方向上抑制作为法布里 - 珀罗谐振器的作用。反射控制膜在390至420nm的波长范围内具有10％或更小的反射系数。 Ž |
| 申请日期 | 2006-08-28 |
| 专利号 | JP2006352159A |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2006230956 |
| 公开（公告）号 | JP2006352159A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 深見 久郎 | 森田 俊雄 | 仲村 義平 | 堀井 豊 | 野田 久登 | 酒井 將行 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86889 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近江 晋,伊藤 茂稔,大野 智輝,等. GaN系レーザ素子. JP2006352159A[P]. 2006-12-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2006352159A.PDF（203KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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