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一种近高斯型掺铒超荧光光纤光源 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108631146A, 申请日期: 2018-10-09, 公开日期: 2018-10-09
发明人:  杨柳;  郝义龙;  张勇刚;  张恩康;  郜中星
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用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102540475B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
发明人:  李耀耀;  李爱珍;  张永刚;  丁惠凤;  李好斯白音;  曹远迎
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一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104104012A, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
发明人:  顾溢;  张永刚;  王庶民
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:62/0  |  提交时间:2020/01/18
GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103368073A, 申请日期: 2013-10-23, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  王庶民;  顾溢;  张永刚;  宋禹忻;  叶虹
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基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101811659B, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2013-08-28
发明人:  张永刚;  顾溢
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一种微型宽脉冲范围双波长光感基因刺激装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102151367B, 申请日期: 2013-04-24, 公开日期: 2013-04-24
发明人:  张永刚;  顾溢
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一种中红外激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102593718A, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  李耀耀;  李爱珍;  张永刚;  丁惠凤;  李好斯白音
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使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置及方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101741011B, 申请日期: 2011-05-04, 公开日期: 2011-05-04
发明人:  李耀耀;  张永刚;  李爱珍
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一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02
发明人:  顾溢;  张永刚
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基于半导体激光器跳模特性的气体测量方法及其传感器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1995973B, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
发明人:  张永刚;  李爱珍;  齐鸣;  封松林
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