一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法

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	一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法
其他题名	一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法
	顾溢; 张永刚
	2011-03-02
专利权人	弦海(上海)量子科技有限公司
公开日期	2011-03-02
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法，自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层；制备方法即采用分子束外延法，首先在InP衬底上生长组分连续渐变的缓冲层；再生长单一组分的材料作为缓冲层，完成赝衬底的生长；生长完的赝衬底上生长相对赝衬底应变补偿的量子阱结构。本发明包含赝衬底的InP基应变量子阱结构既适合于需要采用与InP衬底具有大应变的量子阱的半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性；应用此制备方法，为InP基量子结构和功能的设计和实现引入了更大的自由度。
其他摘要	本发明涉及一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法，自下而上为InP衬底、赝衬底和量子阱结构，其中赝衬底包括组分连续渐变缓冲层及单一组分缓冲层；制备方法即采用分子束外延法，首先在InP衬底上生长组分连续渐变的缓冲层；再生长单一组分的材料作为缓冲层，完成赝衬底的生长；生长完的赝衬底上生长相对赝衬底应变补偿的量子阱结构。本发明包含赝衬底的InP基应变量子阱结构既适合于需要采用与InP衬底具有大应变的量子阱的半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性；应用此制备方法，为InP基量子结构和功能的设计和实现引入了更大的自由度。
申请日期	2010-09-25
专利号	CN101982905A
专利状态	授权
申请号	CN201010290432.2
公开（公告）号	CN101982905A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/00
专利代理人	黄志达 \| 谢文凯
代理机构	上海泰能知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/93022
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	弦海(上海)量子科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	顾溢,张永刚. 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法. CN101982905A[P]. 2011-03-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101982905A.PDF（884KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文