Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法 | |
| 其他题名 | GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法 |
| 王庶民; 顾溢; 张永刚; 宋禹忻; 叶虹 | |
| 2013-10-23 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 公开日期 | 2013-10-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs势垒层；（2）生长InxGa1-xAs1-yBiy势阱层；（3）继续重复生长N-1个周期的AlGaAs势垒层和InGaAsBi势阱层；（4）最后再生长AlGaAs势垒层，完成量子阱结构的生长。本发明的量子阱结构可获得比传统AlGaAs/InGaAs量子阱更长的发光波长，实现波长达3微米附近的发光；制备方法操作工艺简单，易控制。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层和AlGaAs势垒层；（2）生长InxGa1-xAs1-yBiy势阱层；（3）继续重复生长N-1个周期的AlGaAs势垒层和InGaAsBi势阱层；（4）最后再生长AlGaAs势垒层，完成量子阱结构的生长。本发明的量子阱结构可获得比传统AlGaAs/InGaAs量子阱更长的发光波长，实现波长达3微米附近的发光；制备方法操作工艺简单，易控制。 |
| 申请日期 | 2013-06-27 |
| 专利号 | CN103368073A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN201310264489.9 |
| 公开（公告）号 | CN103368073A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 黄志达 |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89991 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王庶民,顾溢,张永刚,等. GaAs衬底上实现3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法. CN103368073A[P]. 2013-10-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN103368073A.PDF（552KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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