Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 | |
| 其他题名 | 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 |
| 顾溢; 张永刚; 王庶民 | |
| 2014-10-15 | |
| 专利权人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 公开日期 | 2014-10-15 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构，采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层，同时采用与InP匹配的In0.53Ga0.47As或者晶格常数比InP小的InxGa1-xAs、0 |
| 其他摘要 | 本发明涉及一种InP基中红外InAsBi量子阱结构，采用InAsBi作为量子阱结构的势阱层，同时采用与InP匹配的In0.53Ga0.47As或者晶格常数比InP小的InxGa1-xAs、0 |
| 申请日期 | 2014-06-05 |
| 专利号 | CN104104012A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN20141024713X |
| 公开（公告）号 | CN104104012A |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 黄志达 |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90176 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾溢,张永刚,王庶民. 一种InP基中红外InAsBi量子阱结构. CN104104012A[P]. 2014-10-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN104104012A.PDF（330KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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