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用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102540475B, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2014-10-22
发明人:  李耀耀;  李爱珍;  张永刚;  丁惠凤;  李好斯白音;  曹远迎
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一种InP基中红外InAsBi量子阱结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104104012A, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2014-10-15
发明人:  顾溢;  张永刚;  王庶民
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