氮化物半导体基板及其制造方法

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	氮化物半导体基板及其制造方法
其他题名	氮化物半导体基板及其制造方法
	上松康二; 佐藤史隆; 弘田龙; 中畑成二; 中幡英章
	2006-12-13
专利权人	住友电气工业株式会社
公开日期	2006-12-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。
其他摘要	提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部(γ)形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部(∏)上形成被小面围住的凸型的小面丘，将形成露出部(∏)的轮廓线的覆盖部(γ)作为凹部，在维持露出部(∏)的小面丘和覆盖部(γ)的凹部的同时使其结晶生长，靠小面的作用向外侧驱赶位错，使其向轮廓线即覆盖部(γ)集结，在覆盖部(γ)上生成缺陷集合区域(H)，在露出部(∏)上小面下形成低缺陷单晶区域(Z)。在制作成器件后，可用加热的KOH、NaOH溶化缺陷集合区域(H)，分离成多角形芯片。
申请日期	2006-06-06
专利号	CN1877877A
专利状态	失效
申请号	CN200610087778.6
公开（公告）号	CN1877877A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L29/30 \| H01L21/205 \| C30B29/38 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01S5/00
专利代理人	李香兰
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92092
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	住友电气工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	上松康二,佐藤史隆,弘田龙,等. 氮化物半导体基板及其制造方法. CN1877877A[P]. 2006-12-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1877877A.PDF（5029KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文