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半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の実装方法およびプリンタ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4964659B2, 申请日期: 2012-04-06, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  中塚 慎一;  大歳 創
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光半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3719467B2, 申请日期: 2005-09-16, 公开日期: 2005-11-24
发明人:  中塚 慎一
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光モジュール及び半導体光デバイス 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004119459A, 申请日期: 2004-04-15, 公开日期: 2004-04-15
发明人:  中塚 慎一;  青木 雅博
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近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003142775A, 申请日期: 2003-05-16, 公开日期: 2003-05-16
发明人:  中塚 慎一;  松本 拓也
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000138419A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
发明人:  中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  宮内 恵一;  加藤 佳秋
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3002526B2, 申请日期: 1999-11-12, 公开日期: 2000-01-24
发明人:  内田 憲治;  山下 茂雄;  中塚 慎一;  梶村 俊
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999284283A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
发明人:  中塚 慎一;  岡井 誠;  上島 研一;  高橋 健夫
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半導体レーザ素子及びその作製法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999145553A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
发明人:  中塚 慎一;  野本 悦子;  上島 研一;  加藤 佳秋
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半導体装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335745A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  比留間 健之;  中塚 慎一;  田中 俊明;  濱田 博
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998242575A, 申请日期: 1998-09-11, 公开日期: 1998-09-11
发明人:  百瀬 正之;  中塚 慎一;  河田 雅彦;  後藤 順;  大家 彰
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