Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 中塚 慎一; 岡井 誠; 上島 研一; 高橋 健夫 | |
| 1999-10-15 | |
| 专利权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 公开日期 | 1999-10-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 光強度分布が均一な超高出力半導体レーザを再現性よく実現する。 【解決手段】 アレイ状ストライプの端面近傍をフレア状に広げ光り結合させるとともに、フレア基部と通常幅のストライプの間に階段状にストライプ幅が変化する部分を設ける。 【効果】 フレア構造により端面破壊レベルを向上するとともに、フレア構造により発生する高次横モードの発生を抑制し、発光均一性を向上するとともに動作電流を低減できる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过使条形波导的形状为耀斑型，使得激光的近场图案均匀并且将光强保持在期望值，其中条纹宽度在a附近逐渐增加。激光输出端面和仅在激光输出端面附近的激光的能量分布彼此重叠。解决方案：N型覆层102，夹在导光层103之间的单量子阱有源层104，第一P型覆层105，P型波导形成层106，第二P型覆层107在基板101上依次晶体生长P型GaAs盖层108.在晶片上形成二氧化硅膜109，并以具有扩口结构的条纹平行排列的形状加工。具有喇叭口结构的条纹由正常宽度的条带110，中间宽度的条带111，喇叭形条带112和耦合区域113构成。结果，半导体激光器的输出可以显着增加而不会使特性劣化，除了输出。 |
| 申请日期 | 1998-03-31 |
| 专利号 | JP1999284283A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998085487 |
| 公开（公告）号 | JP1999284283A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | G11B7/125 | H01S5/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81879 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,岡井 誠,上島 研一,等. 半導体レーザ. JP1999284283A[P]. 1999-10-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1999284283A.PDF（121KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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