Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光モジュール及び半導体光デバイス | |
| 其他题名 | 光モジュール及び半導体光デバイス |
| 中塚 慎一; 青木 雅博 | |
| 2004-04-15 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 2004-04-15 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】導波する光信号の強度を変調する機能を有する光導波路に光の出射位置あるいは出射方向を変調する機能を付加し光変調強度の消光比を増大する。 【解決手段】本発明は、レーザ発振部と光変調部とを少なくとも有し、前記光変調部の光導波路のコア部が、光軸方向に直交する面内で、その複素屈折率が非対称となるように制御可能となされている半導体光デバイス及びこれを備えた光モジュールである。これにより導波路内を伝播する光が、強度変調に加え出射位置の変調も受けるため、受光用開口を特定の偏向を受けた光を多く受光する位置に設けることにより、光変調強度の消光比を増大することが可能となる。 【選択図】 図17 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过将调制发光位置或光的方向的功能添加到具有调制导光信号的强度的功能的光波导，来增加光调制强度的消光比。解决方案：半导体光学器件至少包括激光振荡器和光调制器，使得调制器的光波导的核心是可控的，使得其复折射率在垂直于光轴方向的平面中变得不对称。光学模块包括半导体光学器件。因此，由于除了强度调制之外在波导中传播的光在其发射位置被调制，因此通过在用于光检测非常特定偏转的光的位置处提供光检测开口，可以增加光调制强度的消光比。 Ž |
| 申请日期 | 2002-09-24 |
| 专利号 | JP2004119459A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2002277323 |
| 公开（公告）号 | JP2004119459A |
| IPC 分类号 | H01S5/026 | H01S5/343 | G02F1/017 | G02F1/295 | H01S5/00 | G02F1/01 | G02F1/29 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 | 田中 恭助 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85333 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,青木 雅博. 光モジュール及び半導体光デバイス. JP2004119459A[P]. 2004-04-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2004119459A.PDF（199KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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