Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光半導体装置 | |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 中塚 慎一 | |
| 2005-09-16 | |
| 专利权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 公开日期 | 2005-11-24 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成される半導体装置、あるいは半導体発光装置の低駆動電圧化を実現する。低動作電圧の光情報処理装置を実現する。 【構成】少なくとも窒素を含有するIII-V族化合物半導体により形成されるpn接合部を少なくとも有し、このpn接合は印加電圧に対して逆接合となり、且つこのpn接合の界面に禁制対幅が実質的に零なるIII-V族化合物半導体層を有する半導体装置。 【効果】低駆動電圧の半導体装置、半導体発光装置を実現出来る。更に、複数の半導体装置を所定位置に配置、例えば直列に形成することも可能となる。低動作電圧の光情報処理装置を実現出来る。 |
| 其他摘要 | 由包含氮的III-V族化合物半导体或半导体发光器件形成的半导体器件实现了低驱动电压。从而实现了具有低工作电压的光学信息处理设备。 pn结至少具有由至少含有氮的III-V族化合物半导体形成的pn结，pn结相对于施加的电压是反向结，并且在pn结的界面处形成禁带宽度一种半导体器件，具有基本为零的基本上为III-V的化合物半导体层。 [效果]可以实现具有低驱动电压的半导体器件和半导体发光器件。此外，还可以将多个半导体器件布置在预定位置，例如串联。可以实现具有低工作电压的光学信息处理设备。 |
| 申请日期 | 1997-05-16 |
| 专利号 | JP3719467B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997126703 |
| 公开（公告）号 | JP3719467B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L27/15 | H01S5/042 | H01L33/10 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | 特許業務法人 日東国際特許事務所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74194 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一. 光半導体装置. JP3719467B2[P]. 2005-09-16. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3719467B2.PDF（116KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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