Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体装置およびその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体装置およびその製造方法 |
| 比留間 健之; 中塚 慎一; 田中 俊明; 濱田 博 | |
| 1998-12-18 | |
| 专利权人 | 株式会社日立製作所 |
| 公开日期 | 1998-12-18 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】半導体発光素子の室温以上における動作特性を改善させる。また、素子製作工程における寸法制御を容易にする。 【解決手段】pn接合を有する半導体多層膜からなる発光素子において、p型半導体領域の内部にカーボンをドープしてp型の伝導型にしたAlP/InPヘテロ接合、または、GaP/InPヘテロ接合、ないしは、AlGaAs/AlInGaPヘテロ接合を含む。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过以下方法实现即使在超过室温的高温区域也能以高产率稳定运行的半导体元件，其中仅由AlP和InP或GaP的重复层叠构成的AlP仅由GaP和GaP的重复层叠构成。磷化铟。解决方案：通过MOCVD生长如图所示的多层截面结构。分别生长n型缓冲层2，n型包层3，多量子阱结构4，AlP / InP重复结构层5，p型包层6，p型层8，n型盖层7在Al型/ InP重复层5中，其中仅AlP掺杂有碳，AlP和InP的相应厚度被设置为使得碳掺杂水平整体可以是3＆10/17 / cm 。此外，在AlP / InP中，GaP可以代替AlP。 |
| 申请日期 | 1997-05-27 |
| 专利号 | JP1998335745A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997136437 |
| 公开（公告）号 | JP1998335745A |
| IPC 分类号 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/30 | H01L33/14 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79304 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 比留間 健之,中塚 慎一,田中 俊明,等. 半導体装置およびその製造方法. JP1998335745A[P]. 1998-12-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998335745A.PDF（59KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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