近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置

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	近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置
其他题名	近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置
	中塚慎一; 松本拓也
	2003-05-16
专利权人	株式会社日立製作所
公开日期	2003-05-16
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】物体に近接して配置することができ、かつ、量産性が高く応用装置の組立が容易な近接場光プローブ集積半導体レーザを提供すること。【解決手段】半導体基板の主面上に形成した互いに導電性の異なる半導体層よりなる1対の反射鏡と、同1対の反射鏡に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活性層とを少なくとも有する面発光半導体レーザを形成し、その上面の光出射位置に近接場光を発生するプローブを形成する。面発光レーザを形成する領域以外の該半導体基板の一部に主面からこれに対向する裏面に到達する孔を設け、上記半導体レーザの主面側への通電を該裏面に達する孔を経、かつ面発光レーザの上面に達しない高さに形成した電極を介して裏面側から行なう。
其他摘要	要解决的问题：提供可以靠近物体布置的近场光学探针集成半导体激光器，具有高的批量生产率，并且可以容易地组装。解决方案：表面发射半导体激光器具有至少一对反射镜，其分别由形成在半导体基板的主表面上并具有不同导电率的半导体层构成，并且有源层插入在反射镜之间并具有较窄的禁带宽度比半导体层有。产生近场光的探针形成在半导体激光器的上表面上的发光位置处。在除了半导体激光器的形成区域之外的半导体衬底的一部分中，从主表面到后表面穿过衬底形成孔，并且从后表面侧执行到半导体激光器的主表面侧的电源。通过孔和电极形成的高度不高于激光器的上表面。
主权项	-
申请日期	2001-10-31
专利号	JP2003142775A
专利状态	失效
申请号	JP2001333820
公开（公告）号	JP2003142775A
IPC 分类号	G01Q80/00 \| G01Q60/22 \| G11B7/135 \| G11B7/125 \| H01S5/183 \| G01N13/10 \| G01N13/14 \| G12B21/06
专利代理人	小川勝男 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60746
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社日立製作所
推荐引用方式 GB/T 7714	中塚慎一,松本拓也. 近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置. JP2003142775A[P]. 2003-05-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2003142775A.PDF（51KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文