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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响
期刊论文
光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6
作者:
郭可飞
;
尹飞
;
刘立宇
;
乔凯
;
李鸣
;
汪韬
;
房梦岩
;
吉超
;
屈有山
;
田进寿
;
王兴
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提交时间:2023/11/03
雪崩光电二极管
InGaAs/InP
Zn扩散
单光子探测
雪崩击穿概率
Snapshot dual-view 3D imaging
期刊论文
AIP ADVANCES, 2023, 卷号: 13, 期号: 4
作者:
Ji, Chao
;
Fang, Mengyan
;
Xin, Liwei
;
He, Kai
;
Li, Yahui
;
Wang, Xing
;
Tian, Jinshou
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浏览/下载:90/2
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提交时间:2023/05/12
Signal recovery of a Fabry-Pérot interferometric x-ray pulse detector based on the RadOptic effect
期刊论文
Journal of Applied Physics, 2022, 卷号: 131, 期号: 6
作者:
Wang, Gang
;
He, Kai
;
Liu, Yiheng
;
Yan, Xin
;
Gao, Guilong
;
Wang, Tao
;
Yuan, Xiaohui
;
Zhao, Xu
;
Dong, Yufeng
;
Tian, Jinshou
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浏览/下载:183/3
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提交时间:2022/03/09
One-shot x-ray detection based on the instantaneous change in the refractive index of GaAs
期刊论文
AIP Advances, 2020, 卷号: 10, 期号: 4
作者:
Gao, Guilong
;
He, Kai
;
Yi, Tao
;
Lv, Meng
;
Yuan, Yun
;
Yan, Xin
;
Yin, Fei
;
Li, Shaohui
;
Hu, Ronghao
;
Wang, Tao
;
Tian, Jinshou
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提交时间:2020/05/14
高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟
期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 2
作者:
周振辉
;
徐向晏
;
刘虎林
;
李岩
;
卢裕
;
钱森
;
韦永林
;
何凯
;
赛小锋
;
田进寿
;
陈萍
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提交时间:2019/04/29
量子效率
响应时间
指数掺杂
红外光电阴极
Two-dimensional electron gas characteristics of InP-based high electron mobility transistor terahertz detector
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 4
作者:
Li, Jin-Lun
;
Cui, Shao-Hui
;
Xu, Jian-Xing
;
Cui, Xiao-Ran
;
Guo, Chun-Yan
;
Ma, Ben
;
Ni, Hai-Qiao
;
Niu, Zhi-Chuan
;
Ni, HQ (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2018/05/14
Thz Detector
High Electron Mobility Transistor
Two-dimensional Electron Gas
Inp
Numerical simulation study on quantum efficiency characteristics of InP/InGaAs/InP infrared photocathode
会议论文
Infrared Technology and Applications, and Robot Sensing and Advanced Control, Beijing, China, 2016-05-09
作者:
Xu, Junkai
;
Xu, Xiangyan
;
Tian, Jinshou
;
Luo, Duan
;
Hui, Dandan
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提交时间:2017/03/10