高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟

doi:10.3788/IRLA201948.0221002

OPT OpenIR > 条纹相机工程中心

	高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟
其他题名	Simulation of InP/In0.53Ga0.47As/InP infrared photocathode with high quantum yield
	周振辉 1,2,3; 徐向晏1,3 ; 刘虎林1,3 ; 李岩 4; 卢裕1,3 ; 钱森 5,6; 韦永林1,3 ; 何凯1,3 ; 赛小锋 1,3; 田进寿1,3 ; 陈萍 1,3
作者部门	条纹相机工程中心
	2019-02-25
发表期刊	红外与激光工程
ISSN	10072276
卷号	48 期号:2
产权排序	1
摘要	将In0.53Ga0.47As吸收层设计为多个薄层,通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布,建立了InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模型,在皮秒级响应时间的前提下模拟了吸收层厚度、掺杂浓度和阴极外置偏压对阴极内量子效率的影响,给出了光电子在吸收层和发射层的一维连续性方程和边界条件,计算了光电子克服激活层势垒发射到真空中的几率,进而获得阴极外量子效率随上述三个因素的变化规律,结果表明,吸收层掺杂浓度在1015～1018cm-3范围内变化时,内量子效率变化很小;随着吸收层厚度在0.09～0.81μm内增大,内量子效率随之增大;随着外置偏压升高,内量子效率先增大后趋于平稳。文中给出一组既能获得高量子效率又能有快时间响应的阴极设计参数,理论上1.55μm入射光可以获得8.4%的外量子效率,此时响应时间为49 ps。
关键词	量子效率响应时间指数掺杂红外光电阴极
DOI	10.3788/IRLA201948.0221002
收录类别	EI ; CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6422082
EI入藏号	20191506748535
引用统计
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31371
专题	条纹相机工程中心
作者单位	1.中国科学院西安光学精密机械研究所; 2.中国科学院大学; 3.中国科学院超快诊断重点实验室; 4.西安石油大学理学院; 5.中国科学院高能物理研究所; 6.核探测与核电子学国家重点实验室
第一作者单位	中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周振辉,徐向晏,刘虎林,等. 高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟[J]. 红外与激光工程,2019,48(2).
APA	周振辉.,徐向晏.,刘虎林.,李岩.,卢裕.,...&陈萍.(2019).高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟.红外与激光工程,48(2).
MLA	周振辉,et al."高量子效率InP/In0.53Ga0.47As/InP红外光电阴极模拟".红外与激光工程 48.2(2019).

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高量子效率InP In0.53Ga0.4（2339KB）	期刊论文	出版稿	开放获取	CC BY-NC-SA	浏览请求全文